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高纯锗γ谱探测器

描述：

高纯锗γ谱探测器基于半导体的辐射探测器已经有半个多世纪的历史，ORTEC 在这期间起到了先锋带头作用。最初的产物基于锂漂移的锗Ge（Li）和锂漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后来被更*的高纯锗（HPGe）探测器取代。ORTEC 提供全面的HPGe 探测器解决方案，涵盖广泛的能量和各种应用。

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产物详情/ PRODUCT DETAIL

标题：高纯锗γ谱探测器

产物概述

一、概述

• 基于半导体的辐射探测器已经有半个多世纪的历史，ORTEC 在这期间起到了先锋带头作用。最初的产物基于锂漂移的锗Ge（Li）和锂漂移的硅Si（Li）。Ge（Li）后来被更*的高纯锗（HPGe）探测器取代。ORTEC 提供全面的HPGe 探测器解决方案，涵盖广泛的能量和各种应用。

• 锗半导体辐射探测器需要低温冷却。为了支持各种计数几何形状，ORTEC 提供从标准LN2 系统到高级机电低温冷却器（如ICS™）的各种冷却选项。

• 采用这些技术的ORTEC HPGe 辐射探测器在全球范围内被广泛应用于核结构物理等各种应用，以防止在世界上大的商业港口贩运非法核材料。

二、探测器系列

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