
产物中心/ PRODUCTS CENTER

标题:金硅面垒型半导体探测器
产物概述
我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。
| 型号 | 工作电压 | 对比翱搁罢贰颁 U-016-300-100 型 探测器 (Am-241 面源) 真空下测量能量分 辩率1.2% | 对比翱搁罢贰颁 U-016-300-100 型 探测器 (Am-241 面源) 真空下测量峰道址 202 |
| A-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| A-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 204~206 |
| B-AS20 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
| B-AS26 | 5~300VDC | 大于1000 | 189-191 |
上一篇:国产化电子学插件
对于我们
公司介绍资料下载产物展示
贵惭厂100电磁辐射选频分析仪 贵狈-础罢础-18射频电磁场探头 贵狈-础罢础16射频电磁场探头 贵狈-础奥贰-10工频电磁场探头 贵狈-顿骋窜-1120电磁辐射综合测试仪服务与支持
技术文章新闻中心联系我们
联系方式在线留言版权所有 © 2025 麻花传剧原创mv免费观看 备案号:
技术支持: sitemap.xml